老快三

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                教育装备采购网首页 > 知识产权 > 专利 > CN103972162B
                
            
                
                
                
                    
                
                        

                        
                        
                    
                
                
                
            
                
        
                
        
                
            
                
                
                一种无铜籽晶互连用碳化钼掺杂钌基合金扩散阻挡层制备工艺
                
                
                
                
                
                    
                　　摘要：本发明公开了一种碳化钼掺杂钌基合金（RuMoC）扩散阻挡层制备工艺，它涉及超深亚微米集成电路后端互连结构中铜（Cu）与氧化硅基绝缘介质（SiOC：H）之间一种新型扩散阻挡层的制备工艺。本发明沉积的RuMoC?(5?nm)阻挡层热●稳定温度可达600℃以上，能有效地抑制铜原子朝氧化硅基介质体内扩散。采用该工艺制∮备的RuMoC?(5?nm)扩散阻挡层能有效降低互连膜系电阻率，降低互连电路的阻容耦合（RC）延迟效应，提高半导体器件的运行速度和稳定性。
                
                    
                    
                  
                        
                • 专利类型发明专利
                  • 
                        
                • 申请人四川大学;
                  • 
                        
                • 发明人刘波;张彦坡;林黎蔚;廖小东;
                  • 
                        
                • 地址610065 四川省成都市武侯区一环路南一段24号
                  • 
                        
                • 申请号CN201410201533.6
                  • 
                        
                • 申请时间2014年05月13日
                  • 
                        
                • 申请公布号CN103972162B
                  • 
                        
                • 申请公▲布时间2016年09月07日
                  • 
                        
                • 分类号H01L21/768(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;
                  •