摘要：本发明公开了一种用于气态氟化氢刻蚀¤二氧化硅的刻蚀腔体及其系统，所述系统包括：刻蚀腔体、气体产生装置和≡控制系统，气体产生装置用于将产生的刻蚀气体、氮气和乙醇气体进行∮混合输入到刻蚀腔体内，所述刻蚀腔体上设有进气口和出气口，刻蚀腔体内设有旋转平台、加热器和气体匀流装置，进入刻蚀腔体的混合气体通过气体匀流装置进行充分混合，旋转平台上放置有待刻蚀的半导体器件，控制系统控制气体产生装置产生混合气体，混合气体在刻蚀腔体内充分♀混合，控制系统控制旋转平台转动并控制加热器进行加热。
- 专利类型发明专利
- 申请人河北神通光电科技有限公司;
- 发明人庞克俭;江西元;邵苏予;刘胜伟;
- 地址050227 河北省石家庄市▽鹿泉经济开发区昌盛大街21号
- 申请号CN201410354793.7
- 申请时间2014年07月24日
- 申请公↘布号CN104103561B
- 申请公⊙布时间2016年08月24日
- 分类号H01L21/67(2006.01)I;
