摘要：本发明公开了一种半导体晶片热处理设备及方法，涉及半导体晶片工艺技术领域，该热处理设备包括：加热器、工艺管、密封板、进气管、排气管、气体采集单元和氧气含量测量单▆元，工艺管的管口垂直向下，工艺管部分置于加热器中，工艺管的管口外沿处设置有法兰，密封板通过法兰与工艺管连接，排气管的入口设于工ω 艺管的侧壁邻近管口处，进气管的出口设于工艺♂管上与管口相对的一ζ 端，气¤体采集单元与排气管的出口连接，氧气含量测量单元与♀气体采集单元连接。本发明通︾过设置气体采集单元和氧气含量测量单元，精确地测量热处理设备的反应腔室内部■氧气含量，直至反应内部氧气∑ 含量低于一定阈值后，再进行热处理工艺，以保证硅晶片的生产≡质量。
- 专利类型发明专利
- 申请人北京七星华创电子股份有限公司;
- 发明人赵燕平;董金卫;钟华;赵星梅;
- 地址100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M2号楼2层
- 申请号CN201110272055.4
- 申请时间2011年09月14日
- 申请公布号CN102881615B
- 申请公布时间2015年05月27日
- 分类号H01L21/67(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;
