摘要：本发明公开了一种气液两相雾化清洗装置，涉及半导体晶片工艺技术领域，所述装〇置包括气液两相雾化喷头，还包括液相流体的流量控制装置。本发明的气液两相雾化清洗装置在清洗过程中〒增加了垂直于晶片沟槽的物理力，促进晶片沟槽中杂质和污染物向液相流体主体的传递，提高了清洗的效率和效果；同时本发明通过液相流体的流量控制装置来降低液相流量，采用雾化流体冲洗晶片表面，减少了对晶片的破坏。
- 专利类型发明专利
- 申请人北京七星华创电子股份有限公司;
- 发明人苏宇佳;吴仪;
- 地址100015 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M2楼2层
- 申请号CN201210506549.9
- 申请时间2012年11月30日
- 申▃请公布号CN103008299A
- 申请公布时间2013年04月03日
- 分类号B08B7/04(2006.01)I;B05B7/04(2006.01)I;B05B7/12(2006.01)I;
