摘要：一种增强AlN薄膜择优取向生长的沉积方法，步骤有：采用离子束辅助沉积技术制备AlN同质过渡层：在衬底上用2.0～2.5keV/20～50mA的Ar+离子束溅射沉积Al膜的同时，用20～35keV/2～8mA的中能N+离子束对Al膜进行辅助轰击；然后，采用磁控溅射沉积AlN薄膜：本底真空≤5×10-4Pa，工作气压0.5～10Pa，衬底温度为200℃～500℃。预沉积同质过渡层可有效减小薄膜与衬■底间内应力，形成完全(002)取向的AlN薄膜，并降低薄膜的表面粗糙度，增加薄膜与衬底间的结合ω强度，使所得薄膜产品能满足在声表面波器件、体波器件以及其他微电子器件和功率器件中□ 的应用。
- 专利类型发明专利
- 申请人湖南大学;
- 发明人周灵平;李智;朱家俊;彭坤;
- 地址410082 湖南省长沙市麓山南路2号
- 申请号CN201010183319.4
- 申请时间2010年05月26日
- 申请公◆布号CN101824592A
- 申请公布◎时间2010年09月08日
- 分类号C23C14/06(2006.01)I;C23C14/46(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;
