摘要：本发明公开了一种电子束蒸发法制备环境友好半导体材料Mg2Si薄膜工艺。其过程为:将清洗好的Si片置于蒸镀室内，对蒸镀室抽真空并保持。先将电子束聚焦光斑调宽，预蒸发1～2min，再正式开始蒸镀。蒸镀时，电子束功率为2～4KW，蒸发速率保持在10～30nm/min，衬底温度为150～200℃。蒸镀完成后自然冷却至室温，再取出并置于高真空退火炉中。退火炉背底真空小于等于10-3Pa，为抑制Mg挥发，退火前腔体内通入氩气，并封闭。整个退火过程中，保持氩气气压为-0.01MPa到-0.1MPa。退火时间3-7小时,退火温度300℃-500℃，直接形成环境友好半导体Mg2Si多晶薄膜。
- 专利类型发明专利
- 申请人贵州大学;
- 发明人谢泉;肖清泉;赵珂杰;张晋敏;陈茜;余志强;
- 地址550025 贵州省贵阳市花溪区贵州大学科技处
- 申请号CN201010147303.8
- 申请时间2010年04月15日
- 申请公布号CN101798674A
- 申请公布时间2010年08月11日
- 分类号C23C14/30(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;
