摘要：本发明公开了一种基于二次谐波〖显微术探测单根弯曲半导体纳米线中晶格畸变的高灵敏度方法。在显微系统下，利用探针推动单根纳米线一端使之弯曲，从而产生不同程度的晶格畸变。同时，将一束激光聚焦至单根纳米线上一点A，并连续改变泵浦光偏振方向和纳米线长轴之间的夹角(偏振角θ)，测定二次谐波强度随偏振角θ的变化关系。在保持泵浦光聚焦位置在A点不变的情况下，随弯曲曲率逐渐增大，偏振角θ＝90°和θ＝0°时的二次谐波强度之比显著减小。本发明提供了一种新型测定半导体纳米线晶格畸变的全光∩方法，相对于传统透射电镜法，其探测灵敏度提高近一个数量级，具有不损伤样品、可测块体材料，可适用于液态、低温等各种环境等优势。
- 专利类型发明专利
- 申请人华中科技大学;
- 发明人陆培祥;韩晓博;王凯;龙华;王兵;
- 地址430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 申请号CN201510815035.5
- 申请时间2015年11月22日
- 申请公布号CN105466862A
- 申请公布时间2016年04月06日
- 分类号G01N21/21(2006.01)I;
