摘要：本发明公开了一种低热导率的多▂层相变材料，两种单层薄膜相▲变材料交替堆叠形成周期性的多层膜结构，两种薄膜材料至少有一种组成元〒素不同或由相同的元素组成但原子百分比不同。其作为相变存储器的记录材料能有效降低对某一储存单元进行读写操作时引起的邻近储存单元温升，减小邻近单元之间的热串扰，提高存储器的稳定性并降低器件功耗，且该材料不需≡引入其他非相变材料，与现有制备技术完全兼容。
- 专利类型发明专利
- 申请人华中科技大学;
- 发明人缪向水;童浩;程晓敏;
- 地址430074 湖北省武汉市洪山区珞喻√路1037号
- 申请号CN201010595047.9
- 申请时间2010年12月17日
- 申请公布号CN102142517B
- 申请公布时▃间2017年02月08日
- 分类号H01L45/00(2006.01)I;B32B9/00(2006.01)I;G01N25/20(2006.01)I;
