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                CIGS薄膜太阳能电池留Mo清边的方法

                  摘要:本发明适用于CIGS薄膜太阳能电池加工领域,提供了一种CIGS薄膜太阳能电池加工中的留Mo清边的方法,包括以下步骤:将待清边的电池放置工作台上;机械刻刀移动到待清边的位置上方;所述机械刻刀受恒力驱使下降并匀速穿透待清边的电池的透明导电层和CIGS吸收层,其中,所述恒力小于所述机械刻刀穿透所述待清边的电池的MO层所需的力;所受恒力持续输出,使得所述机械刻刀的刀头正好与所述MO层的表面接触;所述待清边的电池与所述机械刻刀相对水平移动,刮除掉所述透明导电层和CIGS吸收层的边缘。本发明方法采用刀刮的方式,利用机械刻刀恒力穿透,可以一次性刮掉透明导电层和CIGS吸收层的边缘,方法简单高效,成本低。
                • 专利类型发明专利
                • 申请人大族激光科技产业集团股份有限公司;
                • 发明人王振华;陶尚辉;杨凯;刘昌念;谢建;高云峰;
                • 地址518055 广东省深圳市南山区高新技术园北区新西路9号大族激光〒大厦
                • 申请号CN201310389178.5
                • 申请时间2013年08月30日
                • 申请公布号CN104425645B
                • 申请公布时间2016年08月24日
                • 分类号H01L31/18(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;