摘要：本发明公开了ZnS纳米带/CdS纳米柱异质结的合成方法，其特征在于：包含以下步骤：首先，利用离子溅射仪在硅基片上沉积金膜，ZnS粉末放置ξ 在陶瓷舟里，并将陶瓷舟放置在管式炉的热电偶位置处，然后，将上述的硅基片放置在ZnS粉末的下风向，通入氩气，在氩气的保护下将反应温度升至900±20℃，并在此温度反应2±0.5h，反应结束后硅片上有白色样品生成，最后，打开装置将CdS粉末放置在热电偶位置处，将上述↑制备的白色样品放置在距离CdS粉末下风口处，在氩气的保护下将反应温度升至800±20℃，并在氩气的保护下在此温度反应1±0.3h，待反应完成并降到卐室温，在硅基片上得到淡黄色的样品。
- 专利类型发明专利
- 申请人贵州大学;
- 发明人祁小四;谢忍;白忠臣;钟伟;都有为;
- 地址550025 贵州省贵阳市贵州大学花溪北校区科技处
- 申请号CN201610324899.1
- 申请时间2016年05月17日
- 申请公↙布号CN105932099A
- 申请公布时间2016年09月07日
- 分类号H01L31/18(2006.01)I;
