摘要：本发明涉及一种发光二极管晶圆切割方法，包括以下步骤：在发光二极管晶圆的衬底背面镀全方位反射镜层；对全方位反射镜层进行紫外激光切割，切割深度大于或等于全方位反射镜层的厚度；在紫外激光切割形成的沟道内进行隐形激光切割。本发明通过对发光二极管晶圆镀全方位反射镜层，可提高发光二极管晶圆封装后的发光亮度，对发光二极管晶圆镀有全方位反射镜层的一面进行紫外激光切割后在形成的沟道中对发光二极管晶圆内部进行隐形激光切割，将激光汇聚于发光二极管晶圆内部，在发光二极管晶圆内部形成变质层，抑制加工碎屑的产生，在发光二极管晶圆总发光亮度不变的情况下进一步提高了发光二极管晶圆封装后的发光亮度，减小亮度衰减。
- 专利类型发明专利
- 申请人大族激光科技产业集团股份有限公司;
- 发明人高昆;叶树铃;庄昌辉;陈红;邴虹;李瑜;高云峰;
- 地址518055 广东省深圳市南山区高新技术园北区新西路9号大族激光大厦
- 申请号CN201210472442.7
- 申请时间2012年11月20日
- 申请公布号CN102990229B
- 申请公布时间2016年04月13日
- 分类号B23K26/38(2014.01)I;H01L21/78(2006.01)I;
