摘要：一种具有前馈补偿的半导体工艺设备的温控方法，该半导体工艺设备中包括一个或多个控温区的温控，该方法包括根据半导体工艺预设的温控条件，构建温控的前馈补偿参考信号轨迹，即将整个温控升温阶段划分为包括高速升温阶段和标准升温阶段，所述高速升温阶段完成从初始温度t到第一中间温度t’的升温过程，所述标准升温阶段完成从第一中间温度t’到目标█温度T的升温过程；标准升温阶段的参考信号轨迹满足所述预≡设温控条件，高速升温阶段的升╱温速率高于标准升温阶段的升温速率；以及基〒于获得的前馈补偿参考信号的轨迹，进行该温控系统的控制操作。本发＠ 明能减弱温控系统时滞性的影响，加快炉体的升温效果，提高半导体工艺设备的产能。
- 专利类型发明专利
- 申请人北京七星华创电子股份有限公司;
- 发明人王峰;付运涛;刘晨曦;
- 地址100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
- 申请号CN201410554332.4
- 申请时间2014年10月17日
- 申请公布↘号CN104298268B
- 申请公布时间2017年01月25日
- 分类号G05D23/00(2006.01)I;
