摘要：本发明╱公开了两种基于体硅干法刻蚀技术的闪耀角可调微机械光栅的制作方法，主要涉及微机电系统（MEMS）技术、微加工→技术以及光栅衍射技术等。该方法包括刻蚀浅槽、淀积金属薄膜并刻蚀形成下电极、刻蚀出扭转支点和锚点、键合、减薄、刻蚀得到光栅反射梁等过程。该方法能够将光学工作面︽的表面粗糙度控制在纳米级，可极大提高∏器件的光学效率；同时，具有比表面工艺大的多、且工艺可调的空气间隙，能大幅度提高器件的最大可工作闪耀角。本发明将促进闪耀角可调微机⊙械光栅在实际系统中的应用。
- 专利类型发明专利
- 申请人西北工业大学;
- 发明人虞益挺;苑伟政;乔大勇;
- 地址710072 陕西省西安市ㄨ友谊西路127号
- 申请号CN201310019811.1
- 申请时间2013年01月21日
- 申请公布号CN103076676B
- 申请♀公布时间2015年01月28日
- 分类号G02B26/08(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;
