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                教育装备采购网首页 > 知识产权 > 专利 > CN102965638B
                
            
                
                
                
                    
                
                        

                        
                        
                    
                
                
                
            
                
        
                
        
                
            
                
                
                一种C包覆HfC晶须的制备方法》
                
                
                
                
                
                    
                　　摘要：本发明属于材料制备方法,具体涉及一种C包覆HfC晶须的制备方法，技术特征在于：不采用催化剂制备C包覆HfC晶须，采用HfCl4-C3H6-H2-Ar体系沉积HfC-C晶须。本发明的有益效果：不采用催化剂制备C包覆HfC晶须，而且设备简单易于操作。另外采取一步法制备，可以减少杂质的引入。以此制备的同轴电缆结构HfC-C晶须，有望改善增强体的界面结合，以提高HfC晶须的增强效果。
                
                    
                    
                  
                        
                • 专利类型发明专利
                  • 
                        
                • 申请人西北工业大学;
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                • 发明人王永杰;李贺军;付前刚;吴恒;姚栋嘉;
                  • 
                        
                • 地址710072 陕西省西安市∏友谊西路127号
                  • 
                        
                • 申请号CN201210469672.8
                  • 
                        
                • 申请时间2012年11月19日
                  • 
                        
                • 申请公布号CN102965638B
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                • 申请▲公布时间2014年11月05日
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                • 分类号C23C16/26(2006.01)I;C22C49/14(2006.01)I;C22C101/12(2006.01)N;C22C121/02(2006.01)N;
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