摘要：本实用新型涉及一种基片控温系统，所述基片控温系统包括：真空腔室；用于放置基片的样品台，设置在所述真空腔室内，且包括用于对所述基片进行加热的加热器；与所述样品台连接的循环管道，包括入口和出口；惰性气体源，通过进气阀连接在所述循环管道的入口处；冷水机水箱，通过进水阀连接在所述循环管道的入口处；以及与所述加热器、进气阀和进水阀电连接的控制单元，当需要对所述基片加热时，打开所述进气阀且保持所述进水阀关闭；当需要对所述基片进行降温时，打开所述进水阀且保持所述进气阀关闭。本实用新型可以对基片的温度进行控制。
- 专利类型实用新型
- 申请人深圳职业技术学院;上海超导科技股份有限公司;
- 发明人赵升升;高素萍;潘展程;彭楚尧;
- 地址518055 广东省深圳市南山区西丽湖深圳职业技术学院
- 申请号CN201520869276.3
- 申请时间2015年11月03日
- 申请公布号CN205368490U
- 申请公布时间2016年07月06日
- 分类号C23C14/54(2006.01)I;
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