摘要：本实用新型公开了一种发光二极管及其制造方法，该发光二极管器件结构包括底座、发光二极管芯片和发光二极管芯片上的发光层，发光层上表面有金属纳米材料包覆层。由于金属纳米结构较大的∩比表面积，因而具有☆优良的导热性能，将金属纳米材料包覆在发光层上表面，可以有效传导发光二极管芯片产生的热量，防止发光〗二极管芯片高温老化，延长发光二极管的使用寿命。
- 专利类型实用新型
- 申请人中山达华智能科技股份有限公司;
- 发明人闭伟焕;赵文强;李绍荣;于军胜;马云辉;
- 地址528400 广东省中山市小榄※镇泰丰工业区水怡南路9号
- 申请号CN201320125755.5
- 申请时间2013年03月15日
- 申请公布号CN203165950U
- 申请公布时间2013年08月28日
- 分类号H01L33/64(2010.01)I;
