摘要：本发明提供了一种促进植物生长用近紫外发光二极管，包括底座、近紫外发光二极管芯片、内封装层和外封装层，所述近紫外发光二极管芯片的底部安装在底座上，所述近紫外发光二极管芯片上覆盖有内封装层，所述内封装层上覆盖有外封装层。此外，本发明还提供一种促进植物生长用近紫外发光二极管的制备方法，包括☉以下步骤：选取能够有效激发荧光粉的近紫外发光二极管芯片。本发明的一种促进植物生长用近紫外发光二极管最终使二极管的发光均匀柔和，提高了植物的生长▓效率。
- 专利类型发明专利
- 申请人中山达华智能科技股份有限公司;
- 发明人赵文强;闭伟焕;李绍荣;于军胜;
- 地址528415 广东省中山市小榄镇泰丰工业区〇水怡南路9号
- 申请号CN201310624244.2
- 申请时间2013年11月30日
- 申请公布号CN103606619A
- 申请公布时间2014年02月26日
- 分类号H01L33/48(2010.01)I;H01L33/50(2010.01)I;
