摘要：本发明公开了一种采用激光选区烧结工艺制备碳化硅陶瓷件的方法，包括以下步骤：按照预定质量比称取碳粉、碳化◇硅粉末、粘结剂及固化剂倒入球磨罐内，并进行球磨以得到粘接剂?碳化硅混合粉末；采用计算机对待制备的零件进行三维数字建模※，并将三维数字模型信息输入到激光选区烧结成型机，以所述粘接剂?碳化硅混合粉末为原料，采用激光选区烧结快速成形工艺进行粉末烧结成型，以得到所述零件的碳化硅素坯；对所述碳化硅素坯进行加热固化；将固化后的所述碳化硅素坯放置于由Ar保护的中温管式烧结炉中进行碳化处理，以得到多孔碳化硅坯件；将所述多孔碳化硅胚件在真空下进行熔渗烧结处理，以得到致密的碳化硅陶瓷件。
- 专利类型发明专利
- 申请人华中科技大学;北京九鼎通信设备有限公司;
- 发明人刘洁;付旻慧;刘凯;史玉升;王君昆;宋军;曹平;
- 地址430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 申请号CN201610496893.2
- 申请时间2016年06月29日
- 申︻请公布号CN106187195A
- 申请公布时间2016年12月07日
- 分类号C04B35/565(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I;
