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                一种大粒径Diamond/SiC复合材料的制备方法

                  摘要:本发明涉及一种大』粒径Diamond/SiC复合材料的制备方法,采用一次成型大⌒ 粒径金刚石预制体与CVI工艺结合的方法,制得Diamond/SiC复合材料。采用该方法提高了复合材料中金刚石的粒径和体积含量,从而有效的提高了复合材料的热导率。使得热导率较之流延结合CVI方法制备的复合材料提高约30%。不仅如此,该方法生产工艺简单、可控,可用于工业化生产。
                • 专利类型发明专利
                • 申请人西北工业大学;
                • 发明人刘永胜;赵志峰;张青;成来飞;
                • 地址710072 陕西省西安市友谊西路127号
                • 申请号CN201510863881.4
                • 申请时间2015年11月30日
                • 申请╳公布号CN105347799A
                • 申请公布时间2016年02月24日
                • 分类号C04B35/565(2006.01)I;C04B35/528(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;