摘要：半导体钙钛矿太阳能电池及其制备方法，本发明属于太阳能电池领域，解决现有钙钛矿太阳能电池材料昂贵、工艺々复杂的问题，同时保持较高的光电转换效率。本发明的一种半导体钙≡钛矿太阳能电池，自下而上依次包括基底、导电层、空穴阻挡层、介孔电子收集层、介孔空穴收集层、介孔背电极层，其制备方法包括制备电极区、制备空穴阻挡层、制备介孔电子收集层、制备介孔空穴收集层、制备介孔背电极层和充斥钙钛矿吸光材料步骤；本发明的另一种半导体钙钛矿太阳能电池，增加了介孔绝缘层，其制备方法相应增加制备介孔绝缘层步骤。本发明解决了现有钙钛矿太阳能电池的材↘料昂贵、工艺复杂的问题；在电池的开路电压、短路电∑流和填充因子几方面都有提高。
- 专利类型发明专利
- 申请人华中科技大学;
- 发明人赵志新;刘宗豪;张蒙;
- 地址430074 湖北省武汉市洪山区△珞喻路1037号
- 申请号CN201410357461.4
- 申请时间2014年07月24日
- 申←请公布号CN104091889B
- 申请公布时间2015年08月05日
- 分类号H01L51/42(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I;
