网易彩票

  • <tr id='mNYoeP'><strong id='mNYoeP'></strong><small id='mNYoeP'></small><button id='mNYoeP'></button><li id='mNYoeP'><noscript id='mNYoeP'><big id='mNYoeP'></big><dt id='mNYoeP'></dt></noscript></li></tr><ol id='mNYoeP'><option id='mNYoeP'><table id='mNYoeP'><blockquote id='mNYoeP'><tbody id='mNYoeP'></tbody></blockquote></table></option></ol><u id='mNYoeP'></u><kbd id='mNYoeP'><kbd id='mNYoeP'></kbd></kbd>

    <code id='mNYoeP'><strong id='mNYoeP'></strong></code>

    <fieldset id='mNYoeP'></fieldset>
          <span id='mNYoeP'></span>

              <ins id='mNYoeP'></ins>
              <acronym id='mNYoeP'><em id='mNYoeP'></em><td id='mNYoeP'><div id='mNYoeP'></div></td></acronym><address id='mNYoeP'><big id='mNYoeP'><big id='mNYoeP'></big><legend id='mNYoeP'></legend></big></address>

              <i id='mNYoeP'><div id='mNYoeP'><ins id='mNYoeP'></ins></div></i>
              <i id='mNYoeP'></i>
            1. <dl id='mNYoeP'></dl>
              1. <blockquote id='mNYoeP'><q id='mNYoeP'><noscript id='mNYoeP'></noscript><dt id='mNYoeP'></dt></q></blockquote><noframes id='mNYoeP'><i id='mNYoeP'></i>
              2. 首页
              3. 装备资讯
              4. 热点专题
              5. 人物访谈
              6. 政府采购
              7. 产品库
              8. 求购库
              9. 企业库
              10. 品牌排行
              11. 院校库
              12. 案例·技术
              13. 会展信息
              14. 教育装备采购网首页 > 知识产权 > 专利 > CN104465991B

                基于二硫化钨纳米片材料的有机太阳电池及其制备方法

                  摘要:本发明☉公开了一种基于二硫化钨纳米片材料的有机太阳电池及其制备方法。包括从上到下依次排布的阴极、电子传输层、有机光敏层、空穴传输层、阳极和衬底,其中空穴传输层为二硫化钨纳米膜,由二硫化钨纳米片制备而成。本发明采用的二硫化钨纳米膜,相对于目前现有空穴传输材料,制备方法简单,可溶液加工,无ζ需高温退火,将其用于有机太阳电池中,可以取得和现有常用的空穴传输→材料等效的效果,具有较好的应用前景,对推动卐有机太阳电池的产业化应用具有重要意义。
                • 专利类型发明专利
                • 申请人浙江大学;
                • 发明人陈红征;马春燕;傅伟飞;王玲;杨曦;徐明生;
                • 地址310058 浙江省杭州市西湖区余∑ 杭塘路866号
                • 申请号CN201410710313.6
                • 申请时间2014年11月30日
                • 申请公布号CN104465991B
                • 申请公布时间2017年02月22日
                • 分类号H01L51/42(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I;