摘要：本发明涉及一种TiO2纳米管三极型场发射电子源及其制备方法。所述TiO2纳米管三极型场发射电子源以垂直基底生长于阴极或栅极特定位置的TiO2纳米管为场发射阴极材料，其制备方法包括以下步骤：首先采用微接触印刷在平面基板的特定位置上均＠ 匀印刷ZnO籽晶层；然后采用水热法在印刷有ZnO籽晶层的位置上生长ZnO纳米棒；接下来以ZnO纳米棒为模板在其外围■生长一层TiO2薄膜；最后将ZnO纳米棒顶端的TiO2薄膜刻蚀，并通过湿法刻蚀溶解掉ZnO纳米棒，在平面基板的电极形∮成TiO2纳米管。该方法制备的三极型场发射电子源器件，TiO2纳米管长№径比高、且密度可●控，性能良好。
- 专利类型发明专利
- 申请人福州大学;
- 发明人周雄图;林木飞;郭太良;张永爱;叶芸;李福山;胡海龙;林金堂;胡利勤;
- 地址350002 福建省福州市鼓楼区工业路523号
- 申请号CN201410215325.1
- 申请时间2014年05月21日
- 申请公▲布号CN103972007B
- 申请』公布时间2016年01月27日
- 分类号H01J9/02(2006.01)I;H01J1/304(2006.01)I;
