摘要：本发明公开了一种CNx场发射阴极的制作方法，该方法选择钛片作为基底，利用悬浊液静置沉降法在基底上形成含有CNx的胶膜，通过HFCVD热处理在基底与CNx颗粒之间键合生成TiC过渡层。其制作方法包括：先对基底钛片进行抛光←处理，然后利用悬浊液静置沉降法在其上形成含有CNx颗粒的有机↑胶膜，最后采用真空热处理使有机胶膜分解挥发，同时形成CNx颗粒与基底Ψ的键合。本发明制备的CNx平面场发射阴极，由于在基底与CNx颗粒之间键合生成过渡层，降低「了界面处的电子势垒，实现高※密度的电子注入，同时，也加强了CNx与基底的黏附性。该法制备CNx场发射阴极，工艺简单、成本低廉、易于推广。
- 专利类型发明专利
- 申请人西北大学;
- 发明人翟春雪;张志勇;杨延宁;赵武;王雪文;闫军锋;
- 地址710069 陕西省西安市太白北路229号
- 申请号CN201110312674.1
- 申请时间2011年10月16日
- 申请公布╲号CN102361000A
- 申请公布时①间2012年02月22日
- 分类号H01J9/02(2006.01)I;
