摘要：本发明公开了一▲种抗总剂量效应存储单元电路，全部由PMOS管构成，包括：第一、第二PMOS管，第三、第四PMOS管和第五、第六PMOS管；第一、第二PMOS管『为上拉管，第三、第四PMOS管为读出访问管，第五、第六PMOS管▓为写入访问管。本发明的抗总剂量效应存储单元电路可自动实现抗总剂量效应加固，具有较小的存储单元面积，可用于抗辐射航∮空航天及嵌入式存储器等领域。
- 专利类型发明专利
- 申请人华中科技大学;
- 发明人桑红石;王文;张天序;梁巢兵;张静;谢扬;袁雅婧;
- 地址430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 申请号CN201310398912.4
- 申请时间2013年09月04日
- 申请公々布号CN103489477B
- 申请◥公布时间2016年01月13日
- 分类号G11C11/413(2006.01)I;
