摘要：本发明公开了一种抗辐射SRAM时序控制电路及时序处理方法，用于解决现▲有抗辐射SRAM时序控制电路在辐射环境下可靠性差的技术问题。技术方案是在存储器阵列中增加一行一列存储单元来跟踪存★储器关键信号线包括字线和位线的状态，每次存储器读写操作都选中跟踪单元的行和列，将跟踪单元的字线和位线的状态反馈给时序控制单元。时序控制单元依据反馈信号及输入时钟产生SRAM的内部时序控制信号，实现数据的写入和读出。由于采用存储单々元跟踪技术，整个时序完全依赖于存储器自身的速度变化自动调节。基于SRAM时序控制电路的时序处理方法使得SRAM在受辐射影响内部电路工作速度的情况下◥仍然能够产生正确的时序信号，避免了误操作。
- 专利类型发明专利
- 申请人西北工业大学;
- 发明人魏晓敏;高德远;魏廷存;陈楠;高武;郑然;王佳;胡永才;
- 地址710072 陕西省西安市友谊西路127号
- 申请号CN201210296626.2
- 申请时间2012年08月20日
- 申请公布号CN102855927B
- 申请公布时间2015年01月28日
- 分类号G11C11/413(2006.01)I;
