摘要：一种连续进给CVD系统，包括晶片运送机构，该晶片运送机构在CVD处理期间将晶片运送通过淀积腔室。淀积腔室限定通道，晶片在由晶片运送机构运送的同时通过该通道。淀积腔室包括多个处理腔室，这些处理腔室由屏障隔离，这些屏障保持在多个处理腔室中的每一个腔室中的分立的工艺化学性质。多个处理腔室中的每一个腔室包括气体输入端口和气体排出端口、及多个CVD气体源。多个CVD气体源的至少两个联接到多个处理腔室中的每一个腔室的气体输入端口上。
- 专利类型PCT发明
- 申请人维易科精密仪器国际贸易(上海)有限公司;
- 发明人E·A·阿莫尔;W·E·奎恩;P·斯费尔拉佐;
- 地址美国纽约
- 申请号CN201080024861.3
- 申请时间2010年06月03日
- 申请公布号CN102460647A
- 申请公布时『间2012年05月16日
- 分类号H01L21/205(2006.01)I;
