摘要：本发明公开了一种半导体应变硅片成型方法，包括以下步骤：先将单晶硅片切成所需厚度大片状，研磨、抛光后制作电极；然后按产品所需尺寸，在大片状硅片上刻槽；再在大片状硅片刻槽面进行涂复保护；最后，使用硫酸等酸性溶液腐蚀大片状硅片刻槽背面，直至硅片沿所述的刻槽处断开为止。本发明提供的加工方法提高了材料利用率，尺寸精度易于保证，产品质量稳定，生产效率高，一致性好，生产成本降低。
- 专利类型发明专利
- 申请人蚌埠天光传感器有限公司;
- 发明人黄若丰;杨强;马津生;张翠翠;
- 地址233010 安徽省蚌埠市高新区嘉和路118号
- 申请号CN201110130769.1
- 申请时间2011年05月20日
- 申请公布号CN102270569A
- 申请公布时间2011年12月07日
- 分类号H01L21/02(2006.01)I;H01L21/302(2006.01)I;
