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PE
PE100
详细说明
PE-100-RIE等离子卐刻蚀机
标准系统特点：
12英寸腔体，6寸平板可冷却电极
13.56MHz射频电源300W
质量流量控制器: O-50cc （连续可调）
Pirani真空计：0-1Torr
控制器：微机控制系统 用3“触摸屏显示 存储1个完整的工艺配方
真空泵：8CFM氧气
耐用铝合金真空腔体
等离子刻蚀，是干法刻蚀中最常见的一种形式，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体㊣ 和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离〖子，电离气体原子通过电场加速时，会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合╲材料或蚀刻表面。某种程度来讲，等离子清洗实质上是等离子体刻蚀的一种较轻微的情况。进行干式蚀刻工艺的设备包括反应室、电源、真空部分。工件送入被←真空泵抽空的反应室，气体被导入并与等离子体进行交换，等离子体在工件表面发生反应，反应的挥发性副产物被真空泵抽走。等离子体刻蚀工艺实际上便是一种反应性等离子工艺。近期的发展是在反应室的内部安装成搁架形式，这种设计的是富有弹性的，用户可以移去架子来配置合适的等离子体的蚀刻方法：反应性等离子体（RIE），顺流等离子♀体（downstream），直接等离子体（direction plasma）。
反应离子刻蚀（RIE）系统作为一种去除有机物质和对表面进行刻蚀处理的』反应离子刻蚀过程。通过对整个过程的了解，将有助于确定什么样的等离子ぷ设备最适合你的需要。
PE公司为几乎所有的等离子处理应用提供了优越的设备，我们很自豪地说，我们的等离子蚀刻系统在各√个行业应用中表现优异。我们在控制离子密度，电子温度，和等离子体电位等核心技术上拥有丰富的实际经验，通过几个拥有专利的关键技术，可以保证获得非常均匀的等离子体蚀刻的效果。
我们的系统是以一个高强度真空室为基础，真空室内的电极可对几乎所有的材料进行◣处理，并屏蔽真空室内的静电以保护样品。空气或气体通过△控制阀进入室内，与样品进行反应，所产生的废气通过真空泵迅速抽离。所使用的气体的类型取决于蚀刻工艺。四氟化碳（CF4）和氧气是常用的气体腐蚀。
等离子体应用强大的RF（射频）系统产生13.56MHz电极的电磁场。通过射频发生器产生的振荡的电场和电离作用，气体分子获〗得剥离的电子。正离子因为电压差会移向样品，然后与被蚀刻的样◎品碰撞，并与有机材料在样品表面化学反应。离∴子还可以通过转移它们的动能来去除某些物质。电子以震荡的¤形式在真空室内运动，多余的电子会被室壁吸收，因为是室＠壁是接地的，所以他们能被安全的导出设备。
等离子体处理可应用于所卐有的基材，甚至复杂的几何构形都可以进行等离子体◥活化和清洗。等离子体处理ㄨ时的热负荷及机械※负荷都很低，因此，低压等离子体也能处理敏感性材料。
等离子刻蚀机的典型应用包█括：
RIE系统刻蚀效果取决于气体的流量①，压力和功率设置等方面。
我们设计和制造的反应性离子蚀刻系统，可以满足客户的任何需要，且可以根据客户的要求》定制适合的等离子系统。我们的等离子处理系】统，以提供快速，高品№质的蚀刻，低损伤，提供无与伦比的均匀性而著々称。
我们的等离子蚀刻机是理想的干蚀刻，目前╳正在采用的蚀刻：
半导体/集成电路
氮化镓（甘）
氮化铝镓/氮化镓（AlGaN/GaN）
砷化镓/砷化铝镓（一般反避税条款/ algaar）
砷化镓（GaAs）
磷化铟、铟铝砷/铟镓ξ砷化物（InP InGaAs/InAlAs）
硅（硅）
硅锗（SiGe）
氮化︾硅陶瓷（Si3N4）
硅的溴化氢（sihbr）
硒化锌（ZnSe）
金属
铝（铝）
铬（铬）
铂（铂）
钼（钼）
铌（铌）
钽（钽）
钛（Ti）
钨（钨）
电介质
铟锡氧化物（ITO）
锆钛酸铅（PZT）
碳化硅（碳化硅）
塑料/聚合物
聚四氟乙烯♂（PTFE）
聚甲醛（POM）
聚苯□并咪唑（PBI）
聚醚醚酮（PEEK）
聚酰亚胺（聚酰亚胺）
聚酰胺（尼龙）
全氟¤烷氧基烷（PFA）
聚全氟乙丙烯（FEP）
聚烯烃
聚酯
失效分析
