DE400 GLAD ebeam deposition system
DE400 GLAD电子束薄膜沉积系统
LOAD LOCK Chamber (option)
LOAD LOCK预真空进样室（可选）
UHV deposition chamber
超高真空蒸发腔体
Cryopump and dry pump
冷凝泵和干泵
Multi pocket UHV linear indexing ebeam sources
多坩埚线性导位UHV电子枪
Max. 6” substrate
最大6”基片
Tilt angle for substrate
基片薄膜沉积角度可改变
Ion source for substrate cleaning (option)
离子源基片清洗（可选）
Substrate water cooled (option)
基片冷却（可选）
Substrate heating (option)
基片加热（可选）
Crystal rate monitor and film thickness control
晶振沉积速率及膜厚控制
Manual or automatic system control
系统手↓动或自动控制
Good film uniformity and repeatability
良好的薄膜均匀性和重复性
For deposition of metal, semiconductor and insulation materials
可沉积金属、半导体和绝缘材料
For deposition of multi-layer film
可沉积多层薄膜
