Magnetron Sputter Chamber

溅射真空腔室

D shape, 304 stainless steel chamber with viewport

磁控溅射腔体为304不锈钢，并有观≡察窗

Vacuum Pumping

真空泵

Turbo pump and dry rough pump with sputter chamber

溅射室配备分子泵和无油机械泵

Vacuum Valve

真空阀门

Pneumatic operation high vacuum and isolation gate valves

气动控制高真空和隔离插板阀门

Chamber Vent Valve, Rough and Foreline angle valve, and gas valve

腔体充气阀门，粗抽和前级角阀，气体↘截止阀

Sputtering Sources

溅射源

Four 4” circle magnetron sputtering sources

4个4英寸圆形磁控溅射源

Each source with Pneumatic shutter

每个源配备气动挡板

The power supply can be DC, pulse DC or RF power supply

电源可以配备直㊣流，脉冲直流或射频电源

Sample Stage 

样品台

Substrate linear motion, rotating, and the sample heating or water cooling, 

Up to 6” substrate with Pneumatic substrate shutte

样品台直线升降和旋转，样品可加热或冷却，最大6英寸基片装←载能力，配气动样品挡板

Vacuum Gauging

真空测量

Wide range vacuum gauge and Pirani rough gauge

宽量程真空计用于测量真空和皮拉尼粗抽计

Pressure Control

压力控制

Mass flow controller and Capacitance Manometer

流量计和⊙压力计

PID downstream and upstream pressure control

PID下游和上游压力╲控制模式

Cooled Water Interlock

冷水安全互锁

There are cooled water flow sensors of interlock to protect sputter sources work properly

溅射源冷却水路配水流传感器对溅射源安〒全互锁保护

Load Lock

Option

O2 reactive, RF plasma cleaning, single or multi substrate loading

可选,

通氧反应，射频等离子体清洗, 单基片或多基片装载能力

Sputter Chamber Size

磁控溅射腔体尺寸

450mm wide x 430mm deep x 450mm high

450mm宽430mm深450mm高

The Base Vacuum Pressure in Sputter Chamber

溅射腔体极限真空度

better than 5E-8 Torr

优于5E-8托

Sample Loading Capacity

装样能力

Max. 6 inch flat substrate

最大6英寸的平板基片

The Max. Temperature of the Sample Heater

样品加热器最高温度

1000C

1000度

The film uniformity

膜厚均匀性

better than +/-3% over a rotating 4 inch Silicon wafer

在旋转的4英寸硅基片上的膜厚均匀性由于+/-3%

General Sputtering Pressure

通用溅射↘压力

1-50 mTorr

1至50毫托

Good Film Uniformity and repeatability     

很好的薄膜均匀性和重复性

Safety interlock for critical components

关键部件安全互锁保护

PID downstream and upstream pressure control

PID下游和上游压力控制模式