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? LOAD LOCK预真空进样室(可选) ? 前开门溅射腔体 ? 冷凝泵和干∑泵 ? 多达6个磁控溅射源 ? 直流、射频或脉冲电源 ? 朝上或朝下溅射 ? 最大8”基片 ? 基片旋转 ? 基片偏压(可选) ? 基片加热1000度(可选) ? 基片冷却(可选) ? 多达四路工艺气ζ体 ? PID溅射压力控制 ? 系统手动或自动控制 ? 良好的薄膜均匀性和重复性 ? 可沉积金属、半导体和绝缘材料