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多达六个╱磁控溅射源，溅射靶角度和距离可调，直流或射频溅射，最大6英寸基片，基片可旋转、加热或冷却，可加磁场、偏压，LOAD LOCK。系统采用电动液压上开盖，计算机控制。成膜均匀性、镀膜工艺重复性能好。系统主要用于研发，可沉积金属（磁性或非磁性）、半导体及绝缘材料。
