摘要：本实用新型公开了一种快速冷却卷对卷等离子体增强CVD连续生长炉，它涉及石墨烯生长CVD设备技术领域。它包括有CVD管式炉，所述CVD管式炉的炉管两端分别安装有进料进气真空腔室和出料排气真空腔室，所述真空腔室内分别对应□安装有放卷滚轮和收卷滚轮，所述进料进气腔室与炉体之间安装有射频等♀离子体发生器，所述出料排气腔体与炉体之间安装有液氮冷阱。本发明用来制备石墨烯，相对于现有技术具有快速冷却、连续生长的优点，可以进行大面积、高质量石墨烯的规模化生长。
- 专利类型实用新型
- 申请人安徽贝意克设备※技术有限公司;
- 发明人孔令杰;李晓丽;吴克松;
- 地址230088 安徽省合肥市高新区科学大道110号
- 申请号CN201520503542.0
- 申请时间2015年07月10日
- 申请公布号CN204874732U
- 申请公布时间√2015年12月16日
- 分类号C23C16/513(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I;
