摘要：本发明公开了一种石墨相氮化碳薄膜修饰电极的制备方法。在保护气氛下，首先450℃～550℃加热氮化碳原料1min～6h，使得氮化碳原料气化后附着于耐热载体表面，并形成氮化碳前驱体；然后500℃～550℃加热附着有氮』化碳前驱体的耐热载体1min～6h，使得氮化碳前驱体气化并在导电基底★表面形成厚度为10nm～150nm的石墨相氮化碳薄膜，获得所述修饰电极。本发明通过利用气相沉积∮的方法在导电基底表面修饰石墨相氮化碳薄膜，从而提高电极的热电性能，以及氮化碳薄膜的均匀度及稳定性。
- 专利类型发明专利
- 申请人华中科技大学;
- 发明人申燕;吕晓伟;
- 地址430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 申请号CN201610671067.7
- 申请时间2016年08月16日
- 申请公布号CN106206773A
- 申请公▲布时间2016年12月07日
- 分类号H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;
