摘要：本发明公开了一种基于掺杂硅烯的MEMS压阻式压力传感器及其制造方法。一种基于表面硅加工工艺，基底表面淀积形成绝缘层，绝缘层刻蚀形成空腔；在Ag上沉积硅烯，将其完整覆盖所述空ω腔；把Ag基底剥离掉，再在硅烯薄膜上进行抗氧化保护、掺杂；最后在薄膜的上方边缘沉积两个金属电极，电极分别焊有导线。另一种是采用传统的压阻式压力传感器方式，自下而上包括玻璃、基底、绝缘层、硅烯薄膜、抗氧化保护层、金属电极。本发明的优点是硅烯与传统的半导体工艺兼容性好，制造工艺简单，灵敏度更高，应用更广。
- 专利类型发明专利
- 申请人华中科技大学;
- 发明人汪学方;占善男;
- 地址430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 申请号CN201610371195.X
- 申请时间2016年05月30日
- 申请公布号CN105841852A
- 申请公布时间2016年08月10日
- 分类号G01L1/18(2006.01)I;G01L9/06(2006.01)I;
