摘要：本发明涉及电致发光激励临界转变温度提高的MgB2基超导体及其制备方法，利用Y2O3:Eu3+发光体异位掺杂改变MgB2超导体临界转变温度。本发明采用水热法制备了两种不同发光强度的掺杂剂Y2O3:Eu3+Ⅰ和Y2O3:Eu3+II纳米棒，异位掺杂法制备Y2O3:Eu3+发光体掺杂的MgB2基超导体。Y2O3:Eu3+发光体所占质量分数为1％和2％。随着掺杂剂发光强度的增加，MgB2基超导体的Tc值不断增加。在无外界磁场的条件下，当用发光强度高的Y2O3:Eu3+II发光↘体作为掺杂剂，且掺杂浓度为2％时，MgB2基超导体的Tc＝35.9K较纯MgB2的Tc＝35.8K高。
- 专利类型发明专利
- 申请人西北工业大学;
- 发明人赵晓鹏;陶硕;李勇波;陈国维;
- 地址710072 陕西省西安市碑林区友谊西路127号
- 申请号CN201610206412.X
- 申请时间2016年04月05日
- 申请公布号CN105788752A
- 申请公布时间2016年07月20日
- 分类号H01B12/00(2006.01)I;H01B12/02(2006.01)I;H01B12/04(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;C04B35/58(2006.01)I;C01B35/04(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;
