摘要：本发明公开了一种卷对卷磁控溅射真空镀膜装置，包括：真空腔室，真空腔室中依次设置有放卷辊、冷却辊、收卷辊、定位支架，而定位支架为高度可调的内凹形型支架，包括：支撑机构╲和内陷机构；其中，支撑机构可随意调整内陷机构和冷却辊的距离，进而随意改变靶基距；内陷机构的内陷面上设置有多个溅射阴极，每个溅射阴极上设置有各自的溅射靶材；每个溅射阴极中的溅射靶材可以相同或者不同。本发明将溅射阴极内置于真空腔内部，并且使︽用了高度可调的内凹形型支架来调整内陷机构和冷却辊的距离，有利于找出溅射靶材和冷却辊上的待镀膜※的基材的最佳镀膜距离，可大大提高沉积速率，提高了溅射镀膜效率和镀▆膜质量。
- 专利类型发明专利
- 申请人成都西沃克真空科技有限公司;
- 发明人向勇;傅绍英;胡杨;杨小军;
- 地址610200 四川省成都市双流县蛟龙工业港（双流园区）东海路①六段680号
- 申请号CN201610196820.1
- 申请时间2016年03月31日
- 申请公布号CN105671508A
- 申请公布时间2016年06月15日
- 分类号C23C14/35(2006.01)I;C23C14/56(2006.01)I;
