摘要：本发明公开了一种等离子体增强化学气相沉积设备及制膜方法，在本发明的设备中，包括反应腔体，内部■设置有上极板和下级板；将下级板划包括沉积板和槽型机构，沉积板盖设于槽型机构的槽型开口上，形成一容置空间。将槽型机构的外表面覆盖一层由绝缘材料形成的绝缘壁，只保留沉积板通入射频█电压产生等离子体进行镀膜，能够保证等离子体的均匀性和稳定性，使得薄膜材料均匀的沉积在基片上，能够提高制膜质量。
- 专利类型发明专利
- 申请人成都西沃克真空科技有限公司;
- 发明人向勇;傅绍英;孙赫;闫宗楷;
- 地址610200 四川省成都市双流县蛟龙工业港（双流园区）东海路六段680号
- 申请号CN201610202910.7
- 申请时间2016年03月31日
- 申请公布号CN105714274A
- 申请公〇布时间2016年06月29日
- 分类号C23C16/509(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I;C23C16/46(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I;
