摘要：本发明公开了一种脉冲功率开关电路封装结构。包括第一铜箔卐、半导体脉冲功率开关芯片、电容、第二铜箔、铜柱、磁开关和第三铜箔；电容的一端焊接第三铜箔，另一端焊接铜∏柱的一端，铜柱与电容的中心轴垂直，铜柱的另一端穿过磁开关的中心焊接至第二铜箔的一端，第二︽铜箔与电容的中心轴平行，其另一端靠近电容的一面焊接半导体脉冲功率开关芯片的阳极，半导体脉冲功率开关芯片的阴极焊接第一铜箔。本发明将多个外围器件与半导体脉冲功率开关封装◇在一起形成一个整体模块，体积小，功能完善，降低了杂散参数并简化了外围电路，采用新型封装工艺，增强了功率〖器件的稳定性，降∩低了成本。
- 专利类型发明专利
- 申请人华中科技大学;
- 发明人梁琳;常文光;
- 地址430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 申请号CN201410233875.6
- 申请时间2014年05月29日
- 申☆请公布号CN104051442B
- 申请公布①时间2016年08月31日
- 分类号H01L25/00(2006.01)I;H01L25/16(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H03K17/56(2006.01)I;
