摘要：本发明提供的一种波导交叉单元及其制作方法，其中，基于SOI的波导交叉单元包括：衬底、下层光波导、上层光波导、中间层及隔离层；下层光波导与上层光波导呈桥式结构相互︼交叉设置在衬底上；隔离层设置在衬底的中间部位处，中间层分别设置在下层光波导、隔离层的上表面，上层光波导设置在中间层的上表面；下层光波导与↘上层光波导的折射率相同；中间层的折射率小于下层光波导的折射率；隔离层的折射率小于下层光波导的折射率；衬底〒的折射率小于下层光波导的折射率；隔离层→的折射率小于中间层的折射率；本发明具有低损耗、低串∏扰的结构特点。
- 专利类型发明专利
- 申请人华中科技大学;
- 发明人刘陈;魏玉明;刘德明;
- 地址430074 湖北省武汉市洪山区珞↙喻路1037号
- 申请号CN201410048787.9
- 申请时间2014年02月12日
- 申请公布号CN103777273B
- 申请公布∏时间2016年02月17日
- 分类号G02B6/125(2006.01)I;G02B6/13(2006.01)I;
