摘要：本发明提出这样一种阳极键合工艺方法：将MEMS陀螺仪器件层沉积到临时高分子衬底上，完成金属电极沉积和MEMS结构刻蚀之后，将临时高分子衬底用化学机械抛光的方法去除。去除之后，将玻璃基体和玻璃盖帽∮分别紧贴MEMS结构的两侧，加电加热后一次完成双面阳极键合。这种工艺方法与传统的两次阳极键合分两步进行相比，更加节省成本，而且避免了第二次阳极键合对第一次阳极键合强度削弱这个固有缺点，使得产品可靠性提高。
- 专利类型发明专利
- 申请人华中科技大学;无锡惠思顿科技有限公司;
- 发明人刘胜;汪学方;方靖;付兴铭;
- 地址430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 申请号CN201310419006.8
- 申请时间2013年09月13日
- 申请公布号CN103508414B
- 申请公布时间2015年08月19日
- 分类号B81C3/00(2006.01)I;
