摘要：本发明公开了一种基于SOI硅片的微型半球谐振陀螺及其制备方法，属于微/纳加工制造领域。该陀螺驱动电极16和敏感电极17通过内有半球空腔的结构硅体1被多条径向的结□构硅槽14分割形成的独立硅块构成，其相对半球谐振子8的面积∮增加，增大驱动力和检测电容，利◣于半球谐振子8的驱动和●信号检测；同时结构硅体1被╳分割形成的独立硅块，使得二氧化硅牺牲层6更加容易被腐蚀。本发明提出所述陀螺』加工方法，通过ICP刻蚀加工支撑体空腔10，并沉积可导电的多晶硅，形成圆柱形支撑↘体11，使得支撑体的支撑面大小可控，利于控制半球谐√振子8的振型分布；同时加工驱动电极16和敏感电极17时，从背面开始加工，保护谐半球振子8免受刻蚀。
- 专利类型发明专利
- 申请人西北工业大学;
- 发明人谢建兵;郝永存;常洪龙;张和民;苑伟政;
- 地址710072 陕西省西安市友谊西路127号
- 申请号CN201310282900.5
- 申请时间2013年07月05日
- 申请公布号CN103344229A
- 申ξ 请公布时间2013年10月09日
- 分类号G01C19/56(2012.01)I;B81C1/00(2006.01)I;
