摘要：一种高分辨率的半导体核辐射探测器，包括高纯的N型半导体硅片、探测本征区、点状N型阳极、P型漂移电极和第一级场效应管，半导体硅片(即基片)为圆形，探测本征区由均匀的位于所述高纯N型半导体硅片的射线入射面的P-N结组成，点状的N型阳极位于相对面的对应于所述本征区外的区域，并被以该N型阳极为焦点的P型漂移电极环绕，P型漂移电极为若干以所述N型阳极为焦点的凸圆状环形条♀，第一级场效应管内置于所述N型阳极中。该探测器在目前硅漂移探测器SDD的基础上，采用了新型的P型漂移︾电极平面结构，进行关键性改进，保持SDD分辨率高，适用计数率范围大，体积小重量轻的特色，而SDD原有的一些缺点则被大有改善。
- 专利类型发明专利
- 申请人江苏天瑞仪器股份有限公司;
- 发明人姚栋樑;李胜辉;
- 地址215300 江苏省昆山市巴城镇苇城南路1666号天瑞大院
- 申请号CN200710075334.5
- 申请时间2007年07月27日
- 申请公△布号CN101281148B
- 申请公布时间2011年01月05日
- 分类号G01N23/223(2006.01)I;G01T1/24(2006.01)I;
