产品简介
高真空磁控溅射仪是用磁控溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜系及◇合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。
设备关键技术特点
秉承设备为工艺实现提供实现手段的理念，我们做了如下设计和工程实现，实际运行效果良好，为用户的专用工艺实现提供了精准的工艺设备方案。
靶材』背面和溅射靶表面的结合处理
-靶材和※靶面直接做到面接触是很难的，如果︽做不到面接触，接触电阻将增大，导致离化电场的幅值不够（接触电阻增大，接触面的电场分压增大），导致镀膜效果不⊙好；电阻增大导致靶材发热升温，降低镀膜质量。
-靶材和靶面接触不良，导致水冷效果不好，降低镀膜质量。
-增加一层特殊导电导热的软薄的物质，保证面接触。
距离可╲调整
基片和靶材之间♀的距离可调整，以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。
角度可调
磁控溅射靶头可调角度，以便针对不同尺寸基片的均匀性，做精准№调控。
集成一体化柜式结构
一体化柜式结构优点：
安全性好（操作者不会触碰到高压部件和旋转部件）
占卐地面积小，尺寸约为：长1100mm×宽780mm（标准办公室门是800mm宽）（传统〗设备大约为2200mm×1000mm），相同面积的工作场地，可以放两台设备。
控制系统
采用计算机＋PLC两↑级控制系统
安全性
-电力系统的检测与保护
-设置真空检测与报警保护功能
-温度检测◤与报警保护
-冷却循环水系统的压力检卐测和流量
-检测与报警保护
匀气技术
工艺气体采用匀气技术，气场更均匀，镀膜更均匀。
基片加◤热技术
采用铠装加热丝，由于通电加热的金属丝不暴露在真空室内，所以高温加热过程中不释放杂质物质，保证薄膜的纯净度。铠装加热□ 丝放入均温器里，保证温常的均匀，然后再对基片加热。
真空度更高∞、抽速更快
真①空室内外，全部电化学抛光，完全去除表面微观毛刺丛林（在显微镜下可见），没有微观藏污纳垢的地【方，腔体内表面积减少一倍以上，镀膜更纯▲净，真空度更高，抽速更快。
设备详情
设备结构○及性能
1、单镀膜室、双镀膜室、单镀膜室＋进样室、镀膜室+手套箱
2、磁控溅射靶数『量及类型：1 ～ 6 靶，圆形平面靶、矩形靶3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装
3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装
4、磁控溅射靶：射频、中频、直流脉冲、直流兼容
5、基片〖可旋转、可加热
6、通入▓反应气体，可进行反应溅射镀膜7、操作方式：手动、半自动、全自动
工作条件
| 类型 | 参数 | 备注 |
|---|---|---|
| 供电 | ～ 380V | 三相¤五线制 |
| 功率 | 根据设备规模配置 | |
| 冷却⌒ 水循环 | 根据设备规模配置 | |
| 水压 | 1.5 ～ 2.5×10^5Pa | |
| 制冷量 | 根据扇热量配置 | |
| 水温 | 18～25℃ | |
| 气动部件供气压力 | 0.5～0.7MPa | |
| 质量流量控制器供气压☆力 | 0.05～0.2MPa | |
| 工作环境温度 | 10℃～40℃ | |
| 工作湿度 | ≤50% |
设备主要技术指标
-基片托架：根据供件大小配置。
-基片加热器温度：根据用户供应◥要求配置，温度可用电脑编程控制，可控可调。
-基片架公转速度 ：2 ～100 转 / 分钟，可控可调；基片自转速度：2 ～20 转 / 分钟。
-基片架可♂加热、可旋转、可升降。
-靶面到基片距离： 30 ～ 140mm 可调。
-Φ2 ～Φ3 英寸平面圆形靶 2 ～ 3 支，配气动靶控板，靶可※摆头调角度。
-镀膜∩室的极限真空：6X10-5Pa，恢复工作ぷ背景真空 7X10-4Pa ，30 分钟左右（新设备充干燥氮气）。
-设备总体漏放率：关机 12 小＠ 时真空度≤10Pa。
