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                鹏城半导〖体㊣ ㄨ 高真空电阻热蒸↓发镀膜机 PC-003

                鹏城■半导体   高真空电阻热蒸◎发镀膜机 PC-003
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                鹏城半∮导体
                PC-003
                鹏城半导体技术(深圳)有限公司
                高教 职教
                广东 深圳 南山区
                苏州大学,北京大学
                详细说明

                  高真空电阻热蒸发镀膜机采用电阻热蒸发技术,它是在高真空条件下,通过加热材料的方法,在衬底☉上沉积各种化合物、混合物单层或多层膜。可用于生产和科学实验,可根据用户要求专门订制;可用于材料的物理和化学研究;可用于制备金属导电电极;可用于有机材料的物理化学性能研究实验、有机半导体器件的原理研▓究实验、OLED实验研究及有机太阳能薄膜电池研究实验等。

                  设备构成

                  -单镀膜室

                  -单镀膜室+进样室

                  -单镀膜室+手套箱(可将镀膜室放在手套箱内)

                  -单镀膜室+进样室+手套箱(可将镀膜室放在手套箱内)

                  -多镀膜室+样品传递∑ 室+手套箱(组成团簇式结构,样品传递采★用真空机械手)

                  设备组成

                  电阻热蒸发【源组件、样品掩膜△挡板系统、真空获得系统及真空测量系统、分子泵(或冷泵)真空机组、旋转基片加热台、工作气路、手套箱连接部件、样品传递机构,膜ζ 厚控制系统、电控系统、恒温【冷却水系统等组成。

                  热蒸发源类型和数量,可根据用户需要进行配置。

                  可选件:膜厚监控○仪,恒温制冷水箱。

                  热蒸发源种类及配置

                  电阻热蒸发源组件:数量:1~12套(可根据用户要求配装);

                  电阻热蒸发源种类:钽(钨或钼)金属舟热蒸发源组件、石英舟热※蒸发源组件、钨极或钨蓝热蒸发源组件、钽炉热蒸发源组件(配氮化硼坩埚或陶瓷坩埚▆)、束源炉热蒸发组件(配石英坩埚或氮化硼坩埚)。

                  工作条件(实验室应具备的设备工作条件)

                  供电:4kW,三相五线制①~ AC 380V

                  工作环境湿度:10℃~ 40℃

                  工作环境温度:≤50%

                  冷却循№环水:0.2m3/h,水温18℃~ 25℃

                  水压:0.15MPa ~ 0.25MPa

                  真空性能

                  极限真空:7×10-5Pa~7×10-6Pa

                  设备总体漏放率:关机12小时,≤10Pa

                  操作方式

                  手动、半自动

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