台式高性能多功能PVD薄膜制备系列—nanoPVD
基于多年大型薄膜制备系统的设计与研发所积累的丰富经验，Moorfield Nanotechnology深入了解了剑桥大学、诺森比亚大学、帝国理工学院、巴斯大学、埃克塞特大学、伦敦玛♂丽女王大学等多所著名大学顶级科研团队的具体需求，经过不懈努力推出了台式高性能多功能PVD薄膜制备系列产品。该系列产品是为高水平学术研究研发的小型物理气相沉积设备。推出之后短短几年时间已经在欧洲ぷ销售了数十台←，该系列产品包含了磁控溅射、金属/机╳物热蒸发系统。这些设备虽然体积小巧，但是性能卓越，能够快速实现高质量纳米薄膜、异质结的制备，通常在大型设备中才有的共溅射和反应溅射功能也可以在该系列产』品上实现。精准的有机※物沉积系统更是该系列的一大特色。便捷的操作、智能的控制、高效的制备效率让您的学术研究进入快车道。
设备型号
台式高质量多功能薄⌒ 膜磁控溅射系统 - nanoPVD S10A
nanoPVD S10A是Moorfield Nanotechnology倾力打造的一款高度集成化智能化的台式磁控溅射系统。该系统虽然体▓积小巧，但是功能出色、配置齐全。该型号的推出是为了解决传统台式设备功能简单不能满足高端学术研究的问题。剑桥大学、诺森比亚大学、帝国理工学院等用户都对这款台式设备给予▽了很高的评价。
nanoPVD S10A最多可安装3个水冷式溅射源，可实现高功率持续运行，靶材尺寸与大型系统一样是行业通用尺寸。系统可以实现两源共溅射方案，可以实现反应溅射方案，最多可〗同时控制3路气体。系统具有分子泵，可快速达到5*10-7mbar高真空。腔体取放样品★非常方便，样品台最大尺寸4英寸，系统有智能化的触屏控制系统，采用完备的安全设计方案。
nanoPVD S10A可用于制备高质量的金属薄膜、半导体薄膜、介电、绝缘材料薄膜以及复合薄膜、多层ξ异质结等△。
主要特点： ◎ 水冷式溅射源，通用2英寸设计 ◎ MFC流量计高精』度控制过程气体 ◎ DC/RF溅射电源可选 ◎ 全自动触摸屏控制▂方案 ◎ 可设定、储存多个溅射程序 ◎ 最大4英寸基片 ◎ 本底真空<5*10-7mbar ◎ 系统维护简单 ◎ 完备的安全性设∞计 ◎ 兼♂容超净间 ◎ 性能稳定 | 选件： ◎ 机械泵类◢型可选 ◎ 样品腔快速充气 ◎ 自动高↑精度压力控制 ◎ 添加过程气体 ◎ 500℃衬底加热 ◎ 衬底旋转，Z向调节 ◎ 三源溅射∩系统 ◎ 共溅射方案 ◎ DC/RF溅射电源可选 ◎ 溅射电源自动切换系统 ◎ 晶∏振膜厚测量系统『 |
典型配置方案：
金属沉积：2个溅射靶，配DC电源◥与电源切换系统，衬底Z向调节与挡板系统，晶振膜厚测量系统。
绝缘材料▓沉积：2个溅射靶，配RF电源与电源切换系统，衬底加热与氧气通入气路，衬底Z向调节与挡板系统，晶振膜厚测量系统。
反应/共溅射：三个◥溅射靶，配备DC/RF电源与自「由切换系统，三路过程气体（Ar、O2、N2）用于沉积氧化物或氮化物。
台式超大面积高质量薄膜磁控溅射系统 - nanoPVD S10A-WA
Moorfield Nanotechnology根据客户超大样品的需求推出了nanoPVD-S10A-WA超大面积高质量薄膜磁控溅射系统。该型号是nanoPVD-S10A的拓展型号，用于制备超大尺寸的样品，最大样品可达8英寸。
该系统基于nanoPVD-S10A的ζ成熟设计和卓越性能，在相同腔体的设计基础上对nanoPVD-S10A进行了调整，使溅射源正对衬底。结合衬底旋转，即使在●生长8英寸的超大样品时也可获∞得很高的样品︻均匀度。与nanoPVD-S10A一样，溅射源采用水冷式设计，可以持续高功率ω 运行，可实现共溅射等功能。nanoPVD-S10-WA是一款接受半定制化的设备，如有特殊需求请联系我们进行详细讨论。
主要特点： ◎ 可制备8英寸超大样品 ◎ 水冷式2英寸标ξ准溅射源 ◎ MFC流量△计高精度控制过程气体 ◎ 直流/交流溅射电源可选 ◎ 全自动触屏控制 ◎ 可设定、存储多个生长程序 ◎ 本底真空<5×10-7mbar ◎ 易于维护 ◎ 全面安全性设计 ◎ 兼容超净间 ◎ 系统※性能稳定 | 选件： ◎ 机械泵类型可选 ◎ 腔体快︾速充气 ◎ 自动高分辨压力控制 ◎ 增加过程气体 ◎ 升级至双溅射源 ◎ DC/RF电源可选 ◎ 溅射电源切换 ◎ 共溅射方案 ◎ 晶振膜厚测量系统 |
台式高质量金属\有机物热蒸↘发系统 - nanoPVD T15A
nanoPVD T15A是Moorfield Nanotechnology推出的 nanoPVD系列中最新的型号，高腔体设计方案专为热㊣ 蒸发而设计，确保薄膜均匀度，最大可生长4英寸的薄膜样品▆。近一年时间在英国安装就有十几套，剑桥大学、巴斯大学、埃克塞特大学、伦敦玛丽女王大学等都是该设备的用户。
系统可以配备低温蒸发(LTE)和标准电阻蒸发源，分别用于沉「积有机物和金属薄膜。低热容有机物蒸发源具有高精度的控制电源，可以精准的控制蒸发条件制备高质量的有机物薄膜。金属源采用盒式屏蔽模式，可以有效的减少交叉污染等问题。智能的控制〓系统和灵活的配置方案使PVD-T15非常适合应用于材料研究领域。
nanoPVD T15A可用于制备高质量的金属、有机物薄膜和异质№结等材料。可应用于传统材料科学和新型的OLED（有机发光二极管）、OPV（有机光伏材●料）和 OFET（有机场效∮应管）领域。
主要特点： ◎ 可选金属、有机物蒸发源 ◎ 高纵横比的腔体，增加样品均匀性 ◎ 全自动触屏控制系统 ◎ 可设定、储存多个蒸发程序 ◎ 最大4” 基片 ◎ 本底真空<5*10-7mbar ◎ 维护简单 ◎ 完备的安全性设∴计 ◎ 性能稳定 | 选件： ◎ 机械泵类型可选 ◎ 样品腔快速充气 ◎ 自动高精度压力控制 ◎ 最多4个有机蒸发源 ◎ 最多2个金属蒸发源 ◎ 500℃衬底加热 ◎ 衬底旋转，Z向调节 ◎ 晶振测☆量系统 |
典型配置指标：
金属沉积：双金属源与挡板和晶振系统
有机物※沉积：四个低温蒸发源与挡板和晶振系统。
金属/有机物沉积：两个金属源，两个有机源与挡板和晶振系统。
发表文章
A high speed PE-ALD ZnO Schottky diode rectifier with low interface-state density
Jin, J., et al. Journal of Physics D: Applied Physics 2018 DOI: 10.1086/1361-6463/aaa4a2
作者报道了利用◥用氧化锌和PtOx肖特基接触界面制备高速肖特基二极管整流器的方法。为此，作者使用PE-ALD沉积ZnO，使用Moorfield nanoPVD-S10A系统↘通过射频溅射制备金属层和PtOx接触层，包括反应溅射模式(通过含氧气氛沉积Pt)。所制备的∏器件具有适用于噪声敏感和高』频电子器件的性能。
用户单位
剑桥大学 | 帝国理工学院 | 埃克塞特大学 |
巴斯大学 | 诺森比亚大学 | 伦敦玛丽女王大学 |
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