台式高性『能CVD石墨烯/碳纳米管快速制备〓系列—nanoCVD
NanoCVD系列台式设备是专为制备高质量的石墨烯与碳纳米管而开发的高性能台式CVD系统。在与诺奖级科研团队的长期合作中获得的丰富经验使该系列产品具有非常高的性能。特别是︼针对石墨烯、碳纳米管等不同的应用进行了针对性的优化。该系列产品操作简便，生长条件控制精准，生长迅速、制备出的样品具有高质量、高可重复性，这些特点使得该系列产品受到多个》石墨烯研究团队√的赞誉「。该系列产品适合于想要制备高质量石墨烯或碳纳米管用于高端学术研究的团队。例如，埃克塞特大学、哈德斯『菲尔德大学、莱顿大学、亚森工█业大学这些世界知名的高校均是nanoCVD系列◤的用户。
nanoCVD采用全新的设计理念，可以快速、高质量地生产石墨烯或碳纳米管。与传统的简易▅CVD(管式炉)相比，该系统基于冷壁设计方案，具有以下主要优点:
◎ 系统可以快▲速的升温和降温。
◎ 更加精准的条件控制和可靠的工艺重现性。
◎ 安全性╱设计，具有尾气稀释◤模块。
◎ 智能化╲设计，全自动引导式触屏操作系统。
◎ 支持自动程序的设定与储存。
◎ 雄厚的技术①积累，专业〒的技术支持。
设备型号
台式超高质量石墨烯快速制〗备CVD系统- nanoCVD8G
nanoCVD-8G系统是性能稳定的快速的石墨烯生长系统。nanoCVD-8G具有压强→自动控制系统，可以精准的控制石墨烯生长过程中的气氛ω 条件。系统采用低热容的样品台可在2分钟内升温至1000℃并精准控温。该装置采用了冷壁技术，样品生长完毕后可△以快速降温。正是因为』这些条件可以让用户在30分钟内即可获得高质量的石墨烯。用户通过HMI触屏进行操作，所有的硬件都是自动化的。更有内置的标准石墨烯生长示〓例程序供用户参考。该系统安装迅速，非常适合需要持续快速获取高质量石墨烯用于高质量学术研究的团队。埃克塞特大学、哈德斯菲尔德大学、莱顿大学、亚森工¤业大学等很多全球著名的高校都是该系统的用户。
主要特点： ◎ 合成高质∏量、可重复的石墨烯 ◎ 生长条件精准控制 ◎ 最高温度：1100 °C ◎ 生长时间：<30 min ◎ 基片尺寸最大：20 × 40 mm2 ◎ 全自动过程控¤制 ◎ MFC流量计〗控制过程气体 (Ar、H2与CH4) ◎ 用户友好型》触屏控制 ◎ 可设定、存储多个⌒生长程序 ◎ 可连接电卐脑记录数据 ◎ 易于维护 ◎ 全面安全性设▂计，尾气稀释模块 ◎ 兼容超净间⌒ ◎ 系统性能稳█定 |
部分＠ 数据展示：
小型等离子增强大尺寸石墨烯制备CVD系统 - nanoCVD WPG
nanoCVD-WPG将nanoCVD-8G高质量№石墨烯生长的功能与等离子体增强技术相结合，系统可制备晶圆☆尺寸(3英寸或4英寸)级别的←样品。除此之外，利用该系统精准的生长控制条件可以制备多种高质卐量的2D材料，该系统是小型CVD系统性能上的一个重大飞跃。全新的设计方案和控制系统使该系统成→为制备大面积2D样品的上佳选择。
应用领域包括:石墨烯和2D材料、光伏电极、触屏材料、高性№能生物电子材料、传感器、储能材料。
主要特点： ◎ 晶圆级样品尺寸: 3英寸、4英寸 ◎ 150 W/13.56 MHz RF 电源 ◎ 多个等离子体电极 ◎ 最高温度1100 °C ◎ 腔体冷壁技术 ◎ 全自动精准条件控制 ◎ 用户友好的触屏操作 ◎ 可设定、存储多个生长程序 ◎ 可连接电脑记录数¤据 ◎ 易于维护 ◎ 全面安全性设计，尾气稀释模块 ◎ 兼容超净『室 ◎ 基于成熟的NanoCVD技术 | 生长条件： ◎ 衬底：Cu、Ni等薄膜或薄片 ◎ 工作原料：CH4，C2H4，PMMA等 ◎ 保护气体：H2，Ar，N2等 典型配置指♀标： ◎ 腔体：腔壁水冷技术，热屏蔽不∑ 锈钢腔体 ◎ 真空系统：分子泵系统，5×10-7mbar本底真空。 ◎ 样品台：最大4英寸直径，最高1100°C ◎ 操作控制：触摸屏/电脑接口；可手动控◥制或自动控制 ◎ 气体控制：MFC 流量计，Ar，CH4，H2为标配种类。 ◎ 过程控制：自动控制 ◎ 等离子源：150 W/13.56 MHz RF 电源，样品台附近或★需要的位置产生等离子体。 ◎ 安全性：冷却与真空锁系统，气体稀释模块。 |
台式□超精准碳纳米管快速制备CVD系统 - nanoCVD 8N
nanoCVD-8N与石墨烯生长系统nanoCVD-8G有诸多共同之处，并针对碳纳米管生长条件进行了优化。这些条件对于碳纳①米管(CNT)样品的质量和可重复性(主要是单壁形式ㄨ)是至关重要的。创新的冷壁式☉腔体与传统管式设备相比更易精准控制实验条件和快速升降温。nanoCVD-8N具有智能的控制系统和♀完备的安全性设计。设备易于安装，易于使用，是快速进入高质量研究♀的理想选择。该系统获得沃里克大学用户的高度赞誉。
碳◥纳米管可采用Fe、Co、Ni的纳米颗粒作为催化◣剂生长在SiO2/Si, Si3N4以及石Ψ英等衬底上。
通过衬底与催化剂的选择←，可以生长的碳纳米管有：
随机: 随机方向的相∴互交叠的单壁碳纳米管
有序: 平行的单壁碳纳米管
竖直: 竖直的单壁碳↓纳米管束
主要特点：
◎ 合成的碳纳米管具有很高的可重复性；
◎ 专门为单〖壁碳纳米管进行了优化；
◎ 生长条件精准控制；
◎ 最高温度：1100 °C；
◎ MFC流量计控制过程气体 (Ar、H2与CH4)；
◎ 基片尺寸：最大20 × 40 mm2；
◎ 生长时间：<30 min；
◎ 全自动生长条件精准控制；
◎ 用户友好型触屏；
◎ 可设定、存储多个生长程序
◎ 可连接电脑记录数据；
◎ 易于维护；
◎ 全面安全性设计，尾气稀释模块；
◎ 兼容超净间；
◎ 系统性能稳定；
部分数据展示：
发表文章
Residual metallic contamination of transferred chemical vapor deposited graphene
Lupina, G., et al. ACS Nano 2015 DOI: 10.1021/acsnano.5b01261
本文作者研究了▃通常用于将CVD石墨烯放置到应用衬底上的湿转移工艺会导致材料〗的微量污染。这些纯度会对石墨烯的其他特殊特性产生不利影响，并对电子和光电应用产生影响。
相关设备: nanoCVD-8G
Transparent conductive graphene textile fibers
Neves, A. I. S., et al. Scientific Reports 2015 DOI: 10.1038/srep09866
使用nanoCVD-8G制成的石墨烯被转移到纤维上，首次生产出柔韧的、完全嵌入的纺织电极。石墨烯的ω 高质量意味着电极具有超低的表面电阻和♂高的机械稳定性。
相关设备: nanoCVD-8G
High quality monolayer graphene synthesized by resistive heating cold wall chemical vapor deposition
Bointon, T. H., et al. Advanced Materials 2015 DOI: 10.1002/adma.201501600
展示了冷壁法CVD合成石墨烯的优』势，并报道了使用nanoCVD – 8G制备的高质量石墨烯材料具有超高的载※流子迁移率，表现出半整数量子霍尔效应，这与剥离制备的样品相当。
相关设备: nanoCVD-8G
Mapping nanoscale electrochemistry of individual single-walled carbon nanotubes
Güell, A. G., et al. Nano Letters 2014 DOI: 10.1021/nl403752e
利用nanoCVD – 8N技术制ぷ备了单壁碳纳米管，并利用电▂化学技术对其进行了研究。高分辨率的测量可以检查单个单壁碳纳米管的特性。这一发现对未来使用SWNT电极的器件设计具有重要意义。
相关设备: nanoCVD-8N
Nanoscale electrocatalysis: Visualizing oxygen reduction at pristine, kinked, and oxidized sites on individual carbon nanotubes
Byers, J. C., et al. Journal of the American Chemical Society 2014 DOI: 10.1021/ja505708y
电化学技】术，结合使用nanoCVD - 8N技术产生的单壁碳纳】米管，被用来证明即使在没有掺杂、修饰或缺陷的情况下，碳纳米管也表现出显著的活性。
相关设备: nanoCVD-8N
用户单位
埃克塞特大学 | 哈德斯菲尔德大学 |
莱顿大学 | 亚森工业大学 |
相关产品：
台式高性能多功能PVD薄膜制▓备系列—nanoPVD：/v2v8n5/product/2020061623.shtml
台式超精准二维材料等离子软刻蚀系统—nanoETCH：/v2v8n5/product/2020061629.shtml
多功╲能高级磁控溅射喷金仪—nanoEM：/v2v8n5/product/2020062924.shtml
台式精准气氛\压力□控制高温退火系统—ANNEAL：https://www.freecchost.com/product/2020062923.shtml
