1.该设备炉管可360度旋转，管内壁有石英挡片帮助粉料翻转有助于烧结得更均匀；
2.可左∴右大角度倾斜，方便出放料，倾斜角度在0~35°之间。
3.该款设备◇是全自动Plasma增强CVD系统（PECVD）,系统可以实现连续滑动温区，连续可控↑温度以及Plasma强度等，配备真空系统，可以实现低压条件下的实验，针ω对低温石墨烯、碳纳米管生长等。PECVD系统能使整个实验腔体都处于辉光产生区，辉光均匀等效，这种技术很好的解决了传统等离子工作不稳定状态，这样离子化的范围和强度是传统PECVD的百倍，并解决了物♀料不均匀堆积现象。
| 型号 | BTF-1200C-R-PECVD |
| 显示模式 | 7"液晶触屏显示 |
| 最高温度 | 1100℃ |
| 升温速率 | 10℃/S |
| 控温精度 | ±1℃ |
| 加热元件 | 电阻丝 |
| 热电偶 | K型 |
| 控温方式 | 7"液晶触屏与ぷ工控仪表双重控温，模糊PID控制和自整定调节，人工智能化【30段可编程控制，具有超温和断偶报警功◤能。 |
| 炉管尺寸 | Φ60*420*2+Φ100*360mm |
| 炉管转速 | 3~13r/min |
| 倾斜角度 | 0~35° |
| 加热功率 | 3KW |
| 射频功率输出范围 | 0~500W |
| 供气系统 | 标配三路质量■流量计（50/100/200sccm） |
| 供电电源 | 220V50Hz |
| 通讯接口 | USB |
| 外形尺寸 | 1600mm*650mm*1400mm |
| 设备净重 | 约220KG |
