CV法利用PN结或肖特基势垒在反向偏压时的电容特性，可以获得材料中杂质浓度及其分布的信息，这类测量成为C-V测量技术。这种测量可以提供材料横截面均匀性及纵向杂质浓度分布的信息。
组成半导体器件的基本结构的PN结具有电容效应（势垒电容），加正向偏压时，PN结势垒区变窄，势垒电容变大；加反向偏压是，PN结势垒区变宽，势垒〒电容变小。
KCV-300电容电压（C-V）特性测试仪是测试频率为1MHz的数字式电容测试仪器，专用于测量半导体器件PN结的势垒电容在不同偏压下的电容量，也可测试其它电容。
仪器有较高的分辨率，电容量是四位读数，可分辨到0.001pF，偏置电压分辨率为0.01V，漏电流分辨率为0.01μA。
该测试仪器性能稳定可靠，功能齐全，精度高，操作简单，适用于元件生产厂家，科研部门，高等院校等单位。
主要技术指标如下：
测试信号频率：1.000MHz±0.01%
测试信号电压：≤100mVrms
电容测量范围：0.001pF～10000 pF
误差：≤±3%
直流偏压：自带偏压0.01～45V，可外接偏压源拓展；
漏电流：0.1～199.9μA
供电电源：AC220V 50Hz
消耗功率：<40W
