SC3000溅射仪系统可对12英寸（300mm）晶圆进行喷镀。它具有多靶溅射，在不破坏真空的情况下，可进行三层顺序涂层。
此仪器为高真空、高分辨率镀膜系统，它可进行精细及精确、可重复的镀膜。
SC3000中配有三个磁电管靶，可镀超大直径的样品，加之可旋转的样品台，保证了均匀沉积。这种方式不需要特大的靶面，而用标准靶即可。
多靶系统在半导体晶圆工业尤为适用。它使用涡轮分子泵，前级为旋转机械泵。集成的仪器面板和即插即用的电子学最大的“up-time”，以及用户友好设计，保证了多学科领域满意的应用。
溅射参数可预设，包括气体放气电磁针阀。
在全自动镀膜过程中，独立的真空泵自始自终由仪器自动控制。可用金作为溅射靶材，也可选用需要预清洁或去除氧化层的靶，如铬靶。
闸门已作为标准配置，该装置允许在维持真空的同时可进行溅射清洁和溅射循环。

 

● 模块化控制电子学单元
● 清洁的真空设计
● 旋转样品台
● 多靶溅射（配有溅射清洁︽光闸）
● LCD 状态/数据登录显示
● 用户菜单输入可存贮10个方案
● LCD显示（真空、时间及电流）
● 灵敏的真空测量头（操作真空全范围显示）
● 具有ISO 100 Flange涡轮分子泵抽气系统，（可选更大的泵）240 L/sec
● 整个全自动程序包括净化非常快—15分钟
● Peltier冷却靶面—无需循环水
● 不用打开真空即可进行三层顺序镀膜

 技术规格
仪器尺寸：450mm W x 500mm D x 300mm H （整个高度650mm）  重量：55公斤
工作腔室：不锈钢 300mm Dia x 200mm H（具有观察窗口）
靶：三靶54 mm 直径 x 0.3mm 厚铬作为标准靶材（各种靶材可选，如：金、铂、金/钯合金）
旋转样品台：适合6英寸及12英寸晶圆可调，
            与靶的距离为60mm
真空范围：ATM-1x10^-5 mbar
操作真空：1 x 10^-3 mbar到 1 x 10^-4 mbar
沉积电流：0-750mA
沉积速度：0-10nm/分
溅射定时：0-4 分钟
电源：230 伏 50Hz (包括※泵最大电流为10安培)
      115 伏 60Hz (包括泵最大电流为20安培)
Services：Argon - Nominal 10 psi  Nitrogen：Nominal 10 psi (Argon may be used as common gas)
前级旋转泵：No5真空泵, 85L/Min complete with Vacuum Hose and Oil Mist Filter. 8m3/Hr.